KRI 离子源|伯东真空

KRI 考夫曼离子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

伯东离子源精密薄膜控制

伯东离子源蚀刻均匀性

伯东离子源精密光学

伯东离子源 MEMS,传感器和显示器

考夫曼离子源创始人 Harold Kaufman

产品详细资料

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合民用的霍尔离子源和考夫曼离子源

KRI 射频离子源 RFICP 系列

产品详细资料

射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼离子源 KDC 系列

产品详细资料

离子源通过加热灯丝产生离子束, 低浓度高能量宽束型离子源

型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
离子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射